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실험실소개
정보광전자재료실험실 (Information & Opto Electronics Materials Lab.)    
지도교수 연구분야
곽준섭 교수 GaN 반도체는 직접전이형 밴드갭특성을 갖는 광대역 반도체 물질이고, 화학적, 물리적으로 안정하여 전기, 열 특성이 우수함으로 광전자 및 전자기기에 많은 관심을 받고 있습니다.하지만 낮은 효율과 공정 원숙도 및 높은 가격으로 인하여 조명 및 전력소자 분야의 시장 진입에 어려움을 겪고 있습니다. 이에 본 연구실에서는 저가의 고효율 GaN 기반의 소자를 실현하기 위해, ohmic contact, 투명전극 형성, IMD, 반사전극 기술 개발과 같은 단위 공정 및 소자 최적화를 위한 chip design, 공정 비용 감소 기술에 초점을 맞추어 연구를 진행하고 있습니다.
  • GaN기반 광 반도체 (LEDs)    
    - 특성향상을 위한 소자 구조 디자인 및 소자 제작
    - 단위 공정 개발 : DC imposed RF sputter를 이용한
      TCO박막 개발, Sputter를 이용한 반사전극 개발
      (Ag, DBR), 전극 신뢰성 실험 및 mechanism 분석
  • Optical & Thermal & Package Simulation
    - LED PKG 모듈 설계
    - LEDPKG 방열 설계 및 제풀 개발
    - 광학, 방열, 구조 전산모사 법을 이용한 LED 소자 및
      PKG 기술 개발
  • GaN based power device (HFETs)
    - 활성 입자빔을 이용한 표면 처리 공정 및 패시베이션
      층 개발
    - 무기 층간절연막을 이용한 M2, M3 소자 디자인 및
      소자 제작
연구장비 
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